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| 器件类型 | N沟道增强型功率 MOSFET |
| 技术 | QFET® 平面条带与 DMOS 技术 |
| 漏源电压 (VDS) | 250 V |
| 连续漏极电流 (ID) | 16 A |
| 导通电阻 (RDS(on)) | 0.27 Ω（典型值 0.22 Ω） |
| 栅源电压 (VGS) | 30 V |
| 封装 | TO-252 (DPAK) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数 | 3 (2 + 散热片) |
| 沟道 | N 沟道 |
| 最大工作温度 | 150 °C |
| 无铅代码 | 是 |
| 制造商 | 安森美 (onsemi) / 飞兆半导体 (Fairchild) |
制造号
FQD16N25CTMFQD16N25CTM_F080
互换号
FQD16N25C
电气与电子系统 - 工业百科
专业供应安森美（onsemi）/飞兆半导体原装 FQD16N25CTM N沟道功率 MOSFET。该器件采用 QFET® 平面条带和 DMOS 技术制造，耐压 250V，连续漏极电流 16A，导通电阻低至 0.27Ω（典型值 0.22Ω），采用 TO-252 (DPAK) 表面贴装封装。适用于电源开关、电机驱动、DC-DC 转换器及消费电子等中高压功率应用。提供完整技术规格书与可靠库存，支持批量采购。