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仙童半导体 Fairchild FDP33N25 N沟道功率MOSFET 晶体管 250V 33A TO-220

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类型	N沟道MOSFET
漏源电压 (VDS)	250 V
漏极电流 (ID)	33 A
导通电阻 (RDS(on))	0.094 Ω @ VGS=10V
栅极电荷 (Qg)	典型值 36.8 nC
输入电容 (Ciss)	低Crss (典型值 39 pF)
封装	TO-220AB (3引脚，通孔安装)
技术	平面条纹和DMOS技术 (UniFET)
开关特性	快速开关，改进的dv/dt能力

制造号

FDP33N25FDPF33N25TFDPF33N25

互换号

FDP33N25-VBFDPF33N25

电气与电子系统 - 工业百科

搜索仙童(Fairchild)原装FDP33N25 N沟道MOSFET晶体管？本页提供完整技术规格书和数据表。该器件为250V、33A功率MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低栅极电荷(典型值36.8nC)和快速开关特性，广泛用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器。支持FDPF33N25T等同系列选型。正品保证，欢迎查询库存与价格。